Nuestro sitio web utiliza cookies proporcionadas por nosotros y terceros. Algunas cookies son necesarias para el funcionamiento del sitio web, y puede ajustar otras cookies en cualquier momento, especialmente aquellas que nos ayudan a comprender el r。

Accetto
Nombre:
Número de teléfono*
Nombre de la empresa:
Correo electrónico*
País*
Contenido:

Tecnología y soluciones

Entorno de ultra alta presión

解决方案
1.1.1.Contexto técnico

Con el desarrollo de la tecnología aeroespacial, algunos de los dispositivos semiconductores de alta fiabilidad y alto rendimiento, especialmente los componentes aeroespaciales clave, se han convertido en un símbolo importante del nivel de ciencia y tecnología aeroespacial de un país. Sin embargo, debido a que la industria de los circuitos integrados de China tiene una base débil, los dispositivos semiconductores dependen principalmente de las importaciones, lo que no solo eleva el costo de los canales de importación sin garantía de calidad, sino que también presenta grandes riesgos potenciales de seguridad, como la estructura de troyanos implantados en chips. Por ello, es imprescindible contar con el desarrollo propio del dispositivo en el núcleo.

1.1.2.Necesidades y desafíos

En el proceso de desarrollo y fabricación de chips, para garantizar que el dispositivo pueda soportar ambientes extremos como el frío, el vacío, el campo magnético, las partículas magnéticas y la radiación fotónica en el espacio, es necesario crear un entorno con altas y bajas temperaturas, campo magnético vacío, irradiación de partículas ligeras y otros, para luego poner el dispositivo a trabajar en él y observar si los parámetros eléctricos del dispositivo son normales en diferentes entornos.

3.Soluciones
  • Device Configuration

  • Objeto de prueba

    Materiales, dispositivos, curvas I-V, C-V, resistividades, pruebas de Hall dentro de 4 pulgadas en condiciones de vacío y alta presión.


  • Precisión de medición

    Prueba de punto de electrodo con aguja superior a 40 micrones, presión ajustable de 10^-14Pa a 1Mpa, precisión de fuga dentro de 100fA, rango de prueba de temperatura de 4 a 500K, precisión de control de temperatura de 1mK, propiedad de temperatura de 100mK.