Solutions de station de sonde
Les dispositifs de puissance sont le terme général pour les composants électroniques et les appareils électroniques. En tant que cœur de la conversion de puissance et du contrôle des circuits, ils utilisent la conductivité unidirectionnelle des semi-conducteurs pour modifier la tension, la fréquence et la phase dans les appareils électroniques, exécutant principalement des fonctions telles que la conversion de puissance, l'amplification de puissance, la commutation de puissance, la protection de ligne, l'inversion (CC vers CA) et la rectification (CA vers CC) dans les circuits. Les appareils haute puissance font généralement référence aux composants électroniques avec des tensions nominales supérieures à 1200 V et des courants nominaux supérieurs à 300 A, fournissant une puissance de sortie importante. Ils peuvent être classés en appareils semi-contrôlés, appareils entièrement contrôlés et appareils incontrôlables. Parmi eux, les thyristors sont des appareils semi-contrôlés, avec la capacité de tension et de courant de tenue la plus élevée ; les diodes de puissance sont des appareils incontrôlables avec une structure, un principe simples et un fonctionnement fiable. Ils peuvent également être classés en appareils à tension et appareils à courant. Parmi eux, GTO et GTR sont des appareils à courant, et IGBT et MOSFET de puissance sont des appareils à tension.
Les semi-conducteurs de puissance sont largement utilisés dans des secteurs tels que les nouvelles énergies (énergie éolienne, photovoltaïque, véhicules électriques), l'électronique grand public, les réseaux intelligents et le transport ferroviaire. En tant que principaux dispositifs électroniques de puissance, les IGBT et les MOSFET sont largement utilisés dans des domaines tels que les ordinateurs et les communications. Les semi-conducteurs RF à base de nitrure de gallium (GaN) soutiennent la construction de stations de base 5G et de systèmes Internet industriels, tandis que les semi-conducteurs de puissance à base de carbure de silicium (SiC) et d'IGBT soutiennent le développement de véhicules à énergie nouvelle, de bornes de recharge, d'alimentations pour stations de base/centres de données, de systèmes à très haute tension et de systèmes de transport ferroviaire.
Poussées par la croissance constante du marché des semi-conducteurs de puissance, les exigences de performance des semi-conducteurs augmentent sans cesse. Garantir que les dispositifs de puissance à grande vitesse sélectionnés fonctionnent de manière stable et fiable dans des environnements à haute température, à rayonnement élevé et à haute puissance présente des défis de test importants pour les ingénieurs concepteurs. Cela est particulièrement vrai pour les dispositifs fabriqués à partir de matériaux avancés comme le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN), qui nécessitent généralement des niveaux de tension et de puissance plus élevés, des temps de commutation plus rapides et des tests complets du niveau de la plaquette aux dispositifs conditionnés.
Nous devons comprendre les caractéristiques dynamiques des dispositifs de puissance : les composants discrets de haute puissance (tels que les transistors de puissance, les diodes de puissance et les thyristors, avec des orientations verticales ou latérales) et les mesures électriques des amplificateurs de haute puissance font tous partie des tests de dispositifs de haute puissance, impliquant généralement des mesures avec des impulsions ou des courants continus supérieurs à 500 V (haute tension) et/ou 1 A (courant élevé).
La caractérisation des propriétés des wafers pour les dispositifs de forte puissance est confrontée à plusieurs défis : l'impact de la résistance de contact entre le support de wafer et l'arrière du wafer sur les paramètres de test, le risque d'endommagement des pastilles métalliques des dispositifs à courant élevé et l'augmentation du courant de fuite dans des conditions de tension et de température élevées. Il est essentiel de déterminer comment mesurer les faibles courants de fuite, en évitant que l'air ne subisse une ionisation par collision sous l'influence de champs électriques, ce qui peut entraîner une rupture diélectrique entre les électrodes. De plus, lorsque l'air se réchauffe, des augmentations rapides de température peuvent créer des phénomènes d'arc électrique. Assurer un environnement sûr pour les opérateurs afin d'éviter tout contact accidentel dans des conditions de haute tension et de température variable est également une préoccupation majeure.
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** Échantillon de semi-conducteur : GaN
La précision du mouvement du porte-aiguille est de 0,6 um, le courant de fuite du mandrin est ≤ 100 fA, la précision du mouvement XYZ du mandrin et du microscope est de 0,1 um, la tension de résistance de 3K-10KV et la température de résistance de 200 ℃.
1. Chargement manuel : le logiciel contrôle le retrait du mandrin, place manuellement la plaquette sur le mandrin, ouvre l'interrupteur d'adsorption pour adsorber la plaquette et déplace le mandrin vers la cavité, puis contrôle le mandrin pour qu'il revienne à sa position d'origine.
2. Le logiciel contrôle le moteur pour déplacer le mandrin et le microscope de haut en bas jusqu'à ce que la surface de la plaquette soit visible. La fonction de mise au point automatique peut être utilisée pour faire la mise au point rapidement sur la surface.
3. Utilisez la fonction de redressement automatique pour régler la rotation de l'eau de la plaquette jusqu'à ce qu'elle soit à niveau.
4. Utilisez des montages haute tension et des sondes à trois axes pour effectuer un raccordement précis au PAD correspondant .
5. Vérifiez le contact entre la sonde et le PAD PAD et la connexion du testeur. Versez de l'huile de fluor sur l'aiguille et placez-la sous haute tension pour l'allumage avant d'appliquer un signal électrique pour le test.
1. Le mandrin et le microscope sont contrôlés par un logiciel pour déplacer le moteur, avec une précision de mouvement de 0,1 um.
2. Équipé d'un système de chemin optique confocal à triple grossissement et à 3 zooms intégré , affichant plusieurs champs de vision simultanément, offrant une expérience de pointage d'aiguille extrêmement pratique.
3. Les mandrins haute tension, les montages haute tension et les sondes shunt peuvent résister à des conditions de haute tension et de courant pendant les tests de puissance.
4. Équipé d'une plate-forme d'isolation des vibrations hautes performances intégrée et d'une barrière d'isolation externe, il évite les vibrations causées par les opérateurs. Le temps de récupération rapide des vibrations est inférieur à < 1 seconde , offrant un environnement de haute stabilité pour les tests.
5. Le rideau lumineux infrarouge peut détecter en continu. Si quelqu'un s'approche par erreur de la pièce haute tension pendant le test haute tension, le programme s'arrêtera immédiatement pour protéger la sécurité du personnel.
Test des appareils horizontaux (les appareils verticaux peuvent être testés à l'aide d'électrodes à mandrin arrière)
