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  • Testlösung

    Hochleistungsgerätetest

    解决方案
    1.Technischer Hintergrund


    Leistungselektronikgeräte sind der allgemeine Begriff für elektronische Komponenten und Geräte. Als Kern der Leistungsumwandlung und Schaltungssteuerung nutzen sie die unidirektionale Leitfähigkeit von Halbleitern, um Spannung, Frequenz und Phase in elektronischen Geräten zu ändern. Sie erfüllen hauptsächlich Funktionen wie Leistungsumwandlung, Leistungsverstärkung, Leistungsschaltung, Leitungserschutz, Inversion (Gleichstrom in Wechselstrom) und Gleichrichtung (Wechselstrom in Gleichstrom) in Schaltungen. Hochleistungsgeräte beziehen sich in der Regel auf elektronische Komponenten mit Spannungsnennwerten über 1200 V und Stromnennwerten über 300 A, die eine bedeutende Ausgangsleistung liefern. Sie können in halbkontrollierte Geräte, vollkontrollierte Geräte und unkontrollierbare Geräte unterteilt werden. Zu den halbkontrollierten Geräten gehören Thyristoren, die die höchste Spannungs- und Stromfestigkeit aufweisen; Leistungsdioden sind unkontrollierbare Geräte mit einfacher Struktur, Prinzip und zuverlässigem Betrieb. Sie können auch in spannungsgesteuerte Geräte und stromgesteuerte Geräte unterteilt werden. Zu den stromgesteuerten Geräten gehören GTO und GTR, und zu den spannungsgesteuerten Geräten gehören IGBT und Leistungsmosfets.

    Leistungshalbleiter finden in Industrien wie erneuerbare Energien (Windkraft, Photovoltaik, Elektrofahrzeuge), Unterhaltungselektronik, intelligente Netze und Schienenverkehr breite Anwendung. Als Hauptleistungselektronikgeräte werden IGBT und MOSFET in Bereichen wie Computer und Kommunikation weit eingesetzt. RF-Halbleiter auf Basis von Gallium-Nitrid (GaN) unterstützen den Bau von 5G-Basisstationen und Industriellen Internetsystemen, während Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und IGBTs die Entwicklung von Fahrzeugen mit erneuerbaren Energien, Ladestationen, Stromversorgungen für Basisstationen/Rechenzentren, Ultra-Hochspannungs-Systeme und Schienenverkehrssysteme unterstützen.




    2.Anforderungen und Schwierigkeiten


    Leistungselektronikgeräte sind der allgemeine Begriff für elektronische Komponenten und Geräte. Als Kern der Leistungsumwandlung und Schaltungssteuerung nutzen sie die unidirektionale Leitfähigkeit von Halbleitern, um Spannung, Frequenz und Phase in elektronischen Geräten zu ändern. Sie erfüllen hauptsächlich Funktionen wie Leistungsumwandlung, Leistungsverstärkung, Leistungsschaltung, Leitungserschutz, Inversion (Gleichstrom in Wechselstrom) und Gleichrichtung (Wechselstrom in Gleichstrom) in Schaltungen. Hochleistungsgeräte beziehen sich in der Regel auf elektronische Komponenten mit Spannungsnennwerten über 1200 V und Stromnennwerten über 300 A, die eine bedeutende Ausgangsleistung liefern. Sie können in halbkontrollierte Geräte, vollkontrollierte Geräte und unkontrollierbare Geräte unterteilt werden. Zu den halbkontrollierten Geräten gehören Thyristoren, die die höchste Spannungs- und Stromfestigkeit aufweisen; Leistungsdioden sind unkontrollierbare Geräte mit einfacher Struktur, Prinzip und zuverlässigem Betrieb. Sie können auch in spannungsgesteuerte Geräte und stromgesteuerte Geräte unterteilt werden. Zu den stromgesteuerten Geräten gehören GTO und GTR, und zu den spannungsgesteuerten Geräten gehören IGBT und Leistungsmosfets.

    Leistungshalbleiter finden in Industrien wie erneuerbare Energien (Windkraft, Photovoltaik, Elektrofahrzeuge), Unterhaltungselektronik, intelligente Netze und Schienenverkehr breite Anwendung. Als Hauptleistungselektronikgeräte werden IGBT und MOSFET in Bereichen wie Computer und Kommunikation weit eingesetzt. RF-Halbleiter auf Basis von Gallium-Nitrid (GaN) unterstützen den Bau von 5G-Basisstationen und Industriellen Internetsystemen, während Leistungshalbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und IGBTs die Entwicklung von Fahrzeugen mit erneuerbaren Energien, Ladestationen, Stromversorgungen für Basisstationen/Rechenzentren, Ultra-Hochspannungs-Systeme und Schienenverkehrssysteme unterstützen.


    3.Lösungen
    • Device Configuration

    • Testobjekte

      **Halbleitermuster: GaN

    • Testgenauigkeit

      Die Genauigkeit der Nadelführungsbewegung beträgt 0,6 µm, der Leckstrom des Spannfutters liegt bei ≤100 fA, die Bewegungsgenauigkeit des Spannfutters und Mikroskops in XYZ-Richtung beträgt 0,1 µm, die Durchschlagspannung liegt bei 3K-10KV und die Beständigkeitstemperatur beträgt 200℃.

    • Testprozess


      1. Manuelles Laden: Die Software steuert das Entfernen des Spannfutters, das Wafer wird manuell auf das Spannfutter gelegt, der Adsorptionsschalter wird geöffnet, um das Wafer zu adsorbieren, und das Spannfutter wird in die Kavität bewegt. Danach steuert die Software das Spannfutter, um in die ursprüngliche Position zurückzukehren.

      2. Die Software steuert den Motor, um das Spannfutter und das Mikroskop nach oben und unten zu bewegen, bis die Oberfläche des Wafers vorläufig sichtbar wird. Die automatische Fokusfunktion kann verwendet werden, um die Oberfläche schnell zu fokussieren.

      3. Verwenden Sie die automatische Begradigungsfunktion, um die Drehung des Wafer zu justieren, bis es eben ist.

      4. Verwenden Sie Hochspannungsbefestigungen und dreiachse Proben, um diese präzise auf das entsprechende PAD zu verbinden.

      5. Überprüfen Sie den Kontakt zwischen der Sonde und dem PAD sowie die Verbindung des Testers. Tropfen Sie Fluoröl auf die Nadel und setzen Sie sie unter Hochspannung, um eine Zündung durchzuführen, bevor ein elektrisches Signal zum Testen angewendet wird.

    • Betriebsmerkmale


      1. Das Spannfutter und das Mikroskop werden von der Software gesteuert, um den Motor zu bewegen, mit einer Bewegungsgenauigkeit von 0,1 µm.

      2. Ausgestattet mit einem eingebauten 3-fach Zoom-Mehrfeldsicht-System, einem dreifachen Vergrößerungskonfokalsystem, das mehrere Sichtfelder gleichzeitig anzeigt und ein äußerst komfortables Nadelausricht-Erlebnis bietet.

      3. Hochspannungs-Spannfutter, Hochspannungsbefestigungen und Shunt-Sonden können hohe Spannungs- und Strombedingungen während des Leistungstests standhalten.

      4. Ausgestattet mit einer integrierten, hochleistungsfähigen Vibrationsisolationsplattform und einer externen Isolierbarriere, die Vibrationen, die durch den Bediener verursacht werden, vermeidet. Die schnelle Rückkehrzeit der Vibrationen beträgt weniger als <1 Sekunde und bietet eine hochstabile Testumgebung.

      5. Der Infrarot-Lichtvorhang kann kontinuierlich überwachen. Wenn sich während des Hochspannungstests jemand versehentlich dem Hochspannungsbereich nähert, stoppt das Programm sofort, um die Sicherheit des Personals zu gewährleisten.

    • Testergebnisse





    • Teststandort

      Horizontalgerätetest (vertikale Geräte können mit Spannfutterrückelektroden getestet werden)